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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 160-168 作者:  Fu, Chen;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Lv, Yuanjie;  Zhou, Yang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 AIGaN/AIN/GaN HFETs  2DEG density distribution  Passivation  Polarization Coulomb field scattering   Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 103, 页码: 113-120 作者:  Liu, Huan;  Cheng, Aijie;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Liu, Yan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 AIGaN/GaN HFETs  Diffused Ohmic contact metal atoms  Polarization  Coulomb field scattering