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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种基于原位Si气氛作用在大直径4H/6H-SiC硅面衬底外延生长石墨烯的方法 专利 申请日期: 2015-09-30, 公开日期: 2015-09-30 作者:  陈秀芳;  孙丽;  徐现刚;  赵显 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 一种基于原位Si气氛作用在大直径4H/6H-SiC硅面衬底外延生长石墨烯的方法 专利 申请日期: 2015-09-30, 公开日期: 2015-09-30 作者:  陈秀芳;  孙丽;  徐现刚;  赵显 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04 水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 935-940 作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 碳化硅  化学气相沉积  原子力显微镜  Raman  光致发光  Cold wall chemical vapor deposition  Epilayer  Homoepitaxial growth  Nomarski microscopy   Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA/物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2780-2785 作者:  Lin, HF;  Xie, EQ;  Ma, ZW;  Zhang, J;  Peng, AH 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25 RF sputtering  SiC films  structure  surface morphology  field emission