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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法 专利 专利号: CN201310145993.7, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2014-10-29 作者:  刘明;  霍宗亮 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/04/27 0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 胡志远 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/24 MOS器件  闪存单元  总剂量效应  浅沟槽隔离   半导体存储器及其制造方法 专利 专利号: CN201110412811.9, 公开日期: 2013-06-19 作者:  霍宗亮;  刘明 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2012/11/20 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/09/07