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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硒掺杂锗碲相变存储材料的第一性原理研究 期刊论文 北京航空航天大学学报, 2018, 卷号: 44, 页码: 1066-1073 作者:  方治乾;  缪奶华;  周健 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 Se掺杂GeTe  Ge空位  相变存储材料  第一性原理计算  元素掺杂   锑碲、锗碲相变材料掺杂改性的从头算研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 李学来 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2013/04/24 相变存储器  锑碲  锗碲相变材料掺杂  第一性原理计算  从头算分子动力学