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| 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210524694.X, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-06-11
作者: 张文亮; 胡爱斌; 朱阳军 ; 陆江
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| TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用 期刊论文
2010, 2010
张伟; 王玉东; 熊小义; 许军; 单一林; 李希有; 刘爱华; 钱佩信; ZHANG Wei; WANG Yu-dong; XIONG Xiao-yi; XU Jun; SHAN Yi-lin; LI Xi-you; LIU Ai-hua; QIAN Pei-xin
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| 重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659
作者: 薛春来; 成步文
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| 锗硅基区禁带变窄量的研究 其他
2001-01-01
金海岩; 高玉芝; 赵宝瑛; 张利春
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| 双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量 期刊论文
半导体学报, 2001
金海岩; 张利春
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/10/23
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| 门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究 其他
2001-01-01
倪学文; 莫邦燹; 宁宝俊; 罗葵; 张录; 关旭东; 韩汝琦
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/11
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| fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2001
贾霖; 倪学文; 莫邦燹; 关旭东; 张录; 宁宝俊; 韩汝琦; 李永康; 周均铭
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/13
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| Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器??GSHBT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2000
李建军; 魏希文; 沈光地; 陈建新; 邹德恕; 韩汝琦
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/12/03
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| Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器??GSHBT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2000, 卷号: 20, 页码: 99
作者: 李建军; 魏希文; 沈光地; 陈建新; 邹德恕
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/02
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| 多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型 期刊论文
大连理工大学学报, 1995, 卷号: 35, 页码: 303
作者: 李建军; 魏希文; 王美田; 李正孝; 王效平
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/06
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