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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 射频磁控溅射制备MoS薄膜及其储锂性能研究 期刊论文 无机化学学报, 2014, 卷号: 第30卷, 页码: 2043-2048 作者:  王丽秀;  魏林;  陶占良;  陈军 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/02/27 MoS2薄膜  射频磁控溅射  锂离子电池   N掺杂对a-SiC:H基介质扩散阻挡层结构及性能的影响 期刊论文 物理学报, 2009, 期号: 3, 页码: 2042-2048 作者:  刘波;  唐文进;  宋忠孝;  陈亚芍;  徐可为 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 非晶掺氮碳化硅基薄膜(a-SiCNx:H)  介质扩散阻挡层  铜扩散  非晶a-SiC:H薄膜   HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文 电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/12 界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696