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| Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 胡培培
  收藏 | 浏览/下载：81/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 太赫兹量子级联激光器电子动力学研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2004
高少文
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 用推广的平面波展开展法检验平面内极化的电子子带跃迁 期刊论文
物理学报, 1997, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 393
张满红; 朱邦芬; 黄绮; 王文新; 周均铭
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 平均键能模型的物理基础及该模型的应用 期刊论文
1996
柯三黄; 王仁智; 黄美纯
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2011/06/20
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| 不同晶面与应变状态下Si/Ge应变异质界面的价带能量不连续性 期刊论文
1996
柯三黄; 黄美纯; 王仁智
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 不同晶面与应变状态下Si／Ge应变异质界面的价带能量不连续 期刊论文
1996
柯三黄; 黄美纯; 王仁智
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2011/06/20 |
| 应变层超晶格(InAs)_n/(GaAs)_n的电子结构与价带能量不连续性 期刊论文
1995
柯三黄; 黄美纯; 王仁智
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2011/06/22 |
| GaAs/Al（0.33）Ga（0.67）As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 163
刘振先; 李国华; 韩和相; 汪兆平
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性 期刊论文
1993
柯三黄; 王仁智; 黄美纯
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2011/06/27 |
