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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 退火对C↓（60）薄膜电学性质的影响 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1996, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 353-359 作者:  巩金龙;  李亚虹;  马国斌;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 膜电导率:7256  C_（60）薄膜:4545  电学性质:3394  退火时间:2317  晶粒数目:1722  室温电导率:1692  激活能:1322  高温区域:997  缺陷态:914  不稳定相:612  Annealing effects  Carbon films conductivity   a－Si：H_a－SiC＿x：H超晶格的界面特性 期刊论文 物理学报, 1994, 期号: 11, 页码: 7 作者:  陈光华;  郭永平;  姚江宏;  宋志忠;  张仿清 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 超晶格:8752  a－Si:2767  态密度:2067  缺陷态:1809  界面缺陷:1535  光学带隙:1360  半导体超晶格:1158  界面区域:977  火行为:920  热稳定性:914