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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2019 作者: 席善学 收藏  |  浏览/下载:272/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 席善学 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利 专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19 作者: 郑政玮; E·里欧班端; 李宁; D·K·萨达纳; 徐崑庭 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利 专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19 作者: 郑政玮; E·里欧班端; 李宁; D·K·萨达纳; 徐崑庭 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 硅基集成光收发模块芯片 专利 专利号: CN208656776U, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26 作者: 刘露露; 刘柳; 陈伟 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/06/21
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| 基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文 核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者: 孙静; 郭旗; 郑齐文; 崔江维; 何承发 收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2020/01/03
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| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹 收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2020/03/19
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| 硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构 专利 专利号: CN208060764U, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06 作者: 刘露露; 阮子良; 张浩; 温雪沁; 朱运涛 收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 一种半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410479915.5, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-04-13 作者: 唐兆云; 杨萌萌; 许静; 王红丽; 唐波 收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2019/03/22 |