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| 应用反短/窄沟效应优化亚阈值 SRAM 单元 期刊论文
哈尔滨工业大学学报, 2016
作者: 袁甲 ; 陈黎明; 蔡江铮
  收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2017/05/08 |
| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110174687.7, 申请日期: 2015-05-20, 公开日期: 2013-01-02
作者: 尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/03/07 |
| 双栅结构对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管电学性能的改进 其他
2014-01-01
贺鑫; 邓伟; 肖祥; 王龙彦; 张乐陶; 张盛东
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/12/03
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| 一种纳米线衬底结构及其制备方法 专利
申请日期: 2013-12-10,
作者: 王盛凯; 孙兵; 刘洪刚; 赵威; 常虎东
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 部分重叠双栅MOSFET特性的研究 期刊论文
安徽大学学报(自然科学版), 2012, 卷号: 第2期, 页码: 43-47
作者: 韩名君; 赵阳; 柯导明
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/04/17
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2011-12-09,
作者: 尹海洲; 骆志炯; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/30 |
| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2011-06-30,
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/07/03 |
| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2011-06-27,
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2011-06-27,
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2011-06-20,
作者: 尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/09/18 |
