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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响 期刊论文 《发光学报》, 2018, 卷号: 39, 页码: 1297-1304 作者:  杨倬波[1] 黄华茂[1,2] 施伟[1];  王洪[1,2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 深刻蚀隔离槽  微尺寸LED芯片  电容 RC常数   可自检微机械热电堆生物反应热探测器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-12-24, 公开日期: 2007, 2010-12-24 董海峰; 赵 湛; 陈德勇  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/12/24 ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 其他 2005-01-01 陈兢 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/11 刻蚀侧壁形貌  电感耦合等离子  深反应离子刻蚀  微机电系统  Notching效应  Bowing效应   ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 期刊论文 中国机械工程, 2005 陈兢 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/11 微机电系统  电感耦合等离子(ICP)刻蚀  深反应离子刻蚀(DRIE)  侧壁形貌  Notching效应  Bowing效应   具有隔离结构的横向接触式体硅微机械继电器 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2004 杨振川; 李婷; 郝一龙; 武国英 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/11 微机电系统  微型继电器  有限元仿真  耦合分析  降解模型