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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究 期刊论文 2018, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 8178-8182 作者:  刘雪飞;  罗子江;  周勋;  王继红;  魏杰敏 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/02 InxGa1-xAs  替位式掺杂  能带结构  对称性   16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究 期刊论文 2018, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 8178-8182 作者:  刘雪飞;  罗子江;  周勋;  王继红;  魏杰敏 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 InxGa1-xAs  替位式掺杂  能带结构  对称性   一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法 专利 专利号: CN103441223A, 申请日期: 2013-12-11, 作者:  麻芃;  彭松昂;  张大勇;  金智;  史敬元 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/05/27 SnO2材料光致发光的性质研究 学位论文 作者:  王玉恒 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 氧化锡薄膜，替位式掺杂，光致发光，磁控溅射