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| 一种基于GexSi1-x可变晶格常数基体的红光半导体激光器 专利
专利号: CN110165555A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
作者: 林涛; 齐玥; 邓泽军; 赵荣进; 马泽坤
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| 一种应变锗激光器及其制作方法 专利
专利号: CN109390845A, 申请日期: 2019-02-26, 公开日期: 2019-02-26
作者: 孙军强; 江佳霖
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| 一种基于声光相互作用的激光光源 专利
专利号: CN109038211A, 申请日期: 2018-12-18, 公开日期: 2018-12-18
作者: 孙军强; 秦森彪
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| GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 专利
专利号: CN105610047B, 申请日期: 2018-09-21, 公开日期: 2018-09-21
作者: 舒斌; 范林西; 吴继宝; 陈景明; 张鹤鸣
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| 双轴拉伸应变对锗能带退简并的影响 期刊论文
上海金属, 2018, 卷号: 40, 页码: 34-38
作者: 戴中华[1]; 钱一辰[2]; 谢耀平[3]; 胡丽娟[4]; 李晓娣[5]
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| 非对称双轴张应变对锗能带的影响 期刊论文
物理学报, 2017, 卷号: 66, 页码: 223-233
作者: 戴中华[1]; 钱一辰[2]; 谢耀平[3]; 胡丽娟[4]; 李晓娣[5]
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| 非对称双轴张应变对锗能带的影响 期刊论文
物理学报, 2017, 卷号: 66, 页码: 167101
作者: 戴中华[1]; 钱一辰[2]; 谢耀平[3]; 胡丽娟[4]; 李晓娣[5]
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/04/24
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| 不同应变对Ge的光学性质影响的第一性原理研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 页码: 702-708
作者: 李佳; 黄文奇; 张鹏; 吕媛媛; 韩旭辉
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| 硅基Ge微区结构制备及Ge横向PIN探测器工艺研究 学位论文
2016, 2016
陈超文
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2017/06/20
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