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郭沫若与在山西四清时的部分人员合影(65年底或66年初) 图像
2021,
作者:  未知
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心理所部分员工洪洞四清留影 图像
2021,
作者:  未知
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2021/08/26
新型紫外、深紫外双折射晶体和非线性光学晶体的探索、生长及性能研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018
作者:  陈幸龙
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一种在碘代乙烯基存在下将炔键顺式还原的方法 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN105294435, 申请日期: 2014-07-18, 公开日期: 2016-02-03
作者:  张幸;  刘军;  杜宇国
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2017/03/03
半导体激光器装置及其制造方法 专利
专利号: CN102214894B, 申请日期: 2013-07-24, 公开日期: 2013-07-24
作者:  久义浩;  田中秀幸;  八代正和;  幸长则善
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青藏铁路冻土区“冷却地基”设计理论的研究和实践 学位论文
博士, 寒区旱区环境与工程研究所: 中国科学院寒区旱区环境与工程研究所, 2007
赵世运
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP3938976B2, 申请日期: 2007-04-06, 公开日期: 2007-06-27
作者:  森岡 達也;  大林 健;  高橋 幸司;  池田 裕章
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
树轮记录的贺兰山区近百年来的干旱事件 期刊论文
生态学报, 2005, 期号: 8, 页码: 2121-2126
作者:  张永香;  勾晓华;  胡文东;  彭剑峰;  刘普幸
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2016/08/01
赤外半導体レ-ザ 专利
专利号: JP2529854B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-09-04
作者:  鈴木 正敏;  久代 行俊;  宇高 勝之;  秋葉 重幸;  松島 裕一
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザ 专利
专利号: JP1995170014A, 申请日期: 1995-07-04, 公开日期: 1995-07-04
作者:  成井 啓修;  新田 幸代;  丸谷 幸利
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