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兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1989 [1]
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反应溅射a-GeNx:H薄膜的喇曼和电子自旋共振谱
期刊论文
固体电子学研究与进展, 1989, 期号: 4, 页码: 394-395
作者:
陈光华
;
张仿清
;
贾炜
;
陈伟
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
电子自旋共振谱:6016
反应溅射:5425
喇曼:4335
H膜:2216
非晶硅太阳电池:1581
ESR谱:1376
电子材料:1348
带隙材料:1278
a-Si:H:1189
光电薄膜:1179
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