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| 具有交叉指型加热器电极和底部电流约束层的激光源 专利
专利号: CN101849333B, 申请日期: 2014-04-16, 公开日期: 2014-04-16
作者: M·H·胡; C·-E·扎
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| 1.8MeV电子辐照AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应研究 会议论文
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者: 李豫东 ; 郭旗; 罗木昌; 张孝富; 文林
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2018/06/04
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| Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文
中国物理B：英文版, 2014, 期号: 02, 页码: 421-425
作者: 吕元杰[1]; 冯志红[1]; 林兆军[2]; 顾国栋[2]; 敦少博[1]
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| 高Al组分AlGaN日盲紫外光电器件的辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者: 张孝富
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2013/06/05
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| 高Al组分AlGaN日盲紫外光电器件的辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013
作者: 张孝富
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2013/06/05
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| Si基JBS整流二极管的设计与制备 期刊论文
半导体技术, 2012, 期号: 3, 页码: 180-183
作者: 王朝林; 王一帆; 岳红菊; 刘肃
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/04/27
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| 300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备 期刊论文
电子器件, 2011, 期号: 6, 页码: 607-610
作者: 王一帆; 王朝林; 刘肃; 何少博
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2015/04/27
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| 反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析 会议论文
第八届中国国际半导体照明论坛（大会/技术分会）
作者: 蔺福合; 宋勤勤; 孙雪; 沈燕; 李树强
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/31
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| 同位素纯硅半导体器件研制及性能测试 会议论文
中国科协2005年学术年会论文集——核科技、核应用、核经济论坛, 核科技、核应用、核经济论坛, 中国新疆乌鲁木齐, CNKI, 中国核学会
张小章; 邓宁; 周明胜; Zhang Xiao-Zhang; Deng Ning; Zhou Mingsheng
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| 相变存储器中选通二极管的模型与优化 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 期号: 06
李宜瑾; 凌云; 宋志棠; 贾晓玲; 罗胜钦
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2012/01/06
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