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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用于热释电探测器的红外微透镜阵列的设计与制作 学位论文 硕士: 中国科学院大学, 2015 作者:  王萌佳 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/11/30 热释电探测器  红外微透镜阵列  热回流  大F数微透镜  离子束刻蚀   980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法 专利 专利号: CN102148478A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10 作者:  高卓;  王俊;  李全宁;  马骁宇 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法 专利 专利号: CN102148479A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10 作者:  高卓;  王俊;  熊聪;  刘素平;  马骁宇 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 980nm 折射率微扰FP 腔半导体激光器的研制 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 高卓 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2011/12/28 FP 腔半导体激光器  折射率微扰  光谱线宽  波长稳定  刻槽图形   单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 专利 专利号: CN101540297, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-09-23, 2010-11-26 作者:  徐静波;  张海英;  黎明;  付晓君 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 制备深亚微米栅的方法 专利 专利号: CN1471135, 申请日期: 2002-07-26, 公开日期: 2004-01-28, 2010-11-26 作者:  王润海;  石华芬;  刘训春;  李无暇;  罗明雄 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102148478A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 高卓; 王俊; 李全宁; 马骁宇 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/09/09 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102148479A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 高卓; 王俊; 熊聪; 刘素平; 马骁宇 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/09/09