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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192 Kong LM; Cai JF; Wu ZY; Gong Z; Niu ZC; Feng ZC 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 time-resolved photoluminescence  InAs self-assembled QDs  migration of carriers  1.3 MU-M  DEPENDENT RADIATIVE DECAY  THERMAL REDISTRIBUTION  EXCITONS  RECOMBINATION  RELAXATION  LIFETIMES  EMISSION  EPITAXY  LASERS   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：183/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  quantum dots  hopping  stretched-exponential decay  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LIGHT-EMITTING-DIODES  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THERMAL-ACTIVATION  LUMINESCENCE  TRANSITIONS  RELAXATION  SILICON  LAYERS