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半导体研究所 [244]
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Direct synthesis of vertical graphene nanowalls on glass substrate for thermal management
期刊论文
Materials research express, 2018, 卷号: 5, 期号: 6
作者:
Zhang,Nan
;
Li,Jiurong
;
Liu,Zhiduo
;
Yang,Siwei
;
Xu,Anli
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浏览/下载:143/0
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提交时间:2019/05/12
Plasma-assisted chemical vapor deposition
Graphene nanowalls
Thermal management
Fabrication and characterization of novel zno tetrapods induced by polar surfaces
期刊论文
Materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 1659-1662
作者:
Li, Junlin
;
Zhuang, Huizhao
;
Wang, Jie
;
Xu, Peng
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浏览/下载:88/0
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提交时间:2019/05/12
Zinc oxide
Crystal growth
Tetrapods
Polar surfaces
Chemical vapor deposition
Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Wang, Jun
;
Jia, Caihong
;
Liu, Jianming
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
A-plane inn
Effect of gas pressure on the properties of silicon thin film
期刊论文
gongneng cailiao/journal of functional materials, 2011, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 1489-1491
Hao, Hui-Ying
;
Li, Wei-Min
;
Zeng, Xiang-Bo
;
Kong, Guang-Lin
;
Liao, Xian-Bo
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2012/06/14
Amorphous films
Chemical vapor deposition
Deposition
Microcrystalline silicon
Microstructure
Photoelectricity
Plasma deposition
Plasma enhanced chemical vapor deposition
Pressure effects
Semiconducting silicon compounds
Transport properties
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar znmgo by mocvd
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Shi, K.
;
Yang, A. L.
;
Wang, J.
;
Song, H. P.
;
Xu, X. Q.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:105/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载:52/5
  |  
提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:64/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
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