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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 LP─MOCVD生长InGaAs_GaAs应变超晶格 期刊论文 兰州大学学报, 1994, 期号: 3, 页码: 2 作者:  崔敬忠;  陈光华;  张仿清;  甘润今;  杨树人 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/04/27 InGaAs／GaAs:6545  应变超晶格:5446  MOCVD生长:3858  结构参数:1732  卫星峰:1651  Ｘ射线:1561  摇摆曲线:1415  生长条件:997  光电子:866  能带结构:824   CoCr合金薄膜厚度对其结构及磁性的影响 期刊论文 磁记录材料, 1994, 期号: 1, 页码: 1-3 作者:  阎明朗;  耿胜利;  杨正 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 薄膜厚度:6051  矫顽力:3903  CoCr薄膜:3067  合金:2821  初生层:2663  X射线:2601  摇摆曲线:2434  衍射图谱:2318  晶粒取向度:1676  磁性:1672