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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Surface orientation  Strain  Hole mobility  InSb  III-V semiconductor  Modeling  V COMPOUND SEMICONDUCTORS  DEFORMATION POTENTIALS  INVERSION-LAYERS   Influence of Radial Stress on the Performance of Gate-All-Around Ge(110) NW FETs with HfO2 Dielectric 其他 2011-01-01 Xu, Honghua; Liu, Xiaoyan; Du, Gang; He, Yuhui; Fan, Chun; Han, Ruqi; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 Radial Stress  Strain Tensor Distribution  Valence Subband  Hole Mobility  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LAYER  NANOWIRES  DEVICES  STRAIN  IMPACT