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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Radiation Effect on the Electron Transport Properties of SiO2/Si Interface: Role of Si Dangling-Bond Defects and Oxygen Vacancy 会议论文 作者:  Qu, Guanghao;  Min, Daomin;  Zhao, Zhonghua;  Frechette, Michel;  Li, Shengtao 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/11/19 electronic structure  radiation damage  dangling-bonds defects  SiO2/Si  first principle calculation  interface  oxygen vacancy   A systematic study of BNL's 3D-Trench Electrode detectors 会议论文 作者:  Montalbano, A.;  Bassignana, D.;  Li, Z.;  Liu, S.;  Lynn, D. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 3D electrode Si detectors  Radiation damage  3D-Trench Electrode detectors  Radiation hardness