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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InGaAs photodetectors cut-off at 1.9 mu m grown by gas-source molecular beam epitaxy 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 250-253 Zhang, YG(张永刚）; Hao, GQ; Gu, Y; Zhu, C; Li, AZ; Liu, TD 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  DARK CURRENT  PHOTODIODES  WAVELENGTH   XPS and AES investigation of GaN films grown by MBE 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2429-2433 Yuan, JS; Chen, GD; Qi, M; Li, AZ; Xu, Z 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/24 STRUCTURE LASER-DIODES  LIGHT-EMITTING DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  IMPURITY   Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560 Zhang, XH; Hu, YS; Wu, J; Cheng, ZQ; Xia, GQ; Xu, YS; Chen, ZH; Gui, YS; Chu, JH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SPACE-CHARGE-REGION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE-EPITAXY  INGAALP ALLOYS  LASER-DIODES  RECOMBINATION  EFFICIENCY  PHOTOLUMINESCENCE   Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides 期刊论文 DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS 1997, 1998, 卷号: 160, 页码: 417-420 Peng, RW; Ding, YQ; Xu, CM; Wang, XG 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/25 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH