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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2003 [1]
2000 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
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An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 058501
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Wang H
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浏览/下载:195/36
  |  
提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL GAN
HETEROJUNCTION
DETECTORS
PHOTODIODES
LAYER
Numerical simulation of nc-Si : H/c-Si heterojunction solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 217-224
Hu ZH
;
Liao XB
;
Zeng XB
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Diao HW
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nc-Si : H/c-Si hetero-junction
solar cell
computer simulation
SILICON HETEROJUNCTION
LAYER
Carrier transport properties of the (n)nc-Si : H/(p)c-Si heterojunction
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466-2471
Peng YC
;
Xu GY
;
He YL
;
Liu M
;
Li YX
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/08/12
(n)nc-Si : H/(p)c-Si heterojunction
band model
carrier transport mechanisms
temperature properties
CRYSTALLINE
Conduction-band offset in a pseudomorphic GaAs/In0.2Ga0.8As quantum well determined by capacitance-voltage profiling and deep-level transient spectroscopy techniques
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 2093-2097
Lu LW
;
Wang J
;
Wang Y
;
Ge WK
;
Yang GW
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/08/12
DISCONTINUITIES
HETEROJUNCTION
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