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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Threshold voltage model of total ionizing irradiated short-channel FD-SOI MOSFETs with Gaussian doping profile 期刊论文 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 卷号: 65, 页码: 2679-2690 作者:  Huang, Huixiang;  Wei, Sufen;  Pan, Jinyan;  Xu, Wenbin;  Chen, Chi-Cheng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26 Gaussians  Integrated circuit modeling  Interface traps  MOS-FET  Short-channel effect  Silicon on insulator (SOI)  Threshold voltage modeling  Total dose radiation