QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis and RHBD technique of single event transients in PLLs 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36 作者:  Han, Z.;  Wang, L.;  Yue, S.;  Han, B.;  Du, S. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 Hardening  Hardness  Heavy ions  High electron mobility transistors  Locks (fasteners)  Nanotechnology  Phase locked loops  Radiation effects  Radiation hardening  Reconfigurable hardware  Heavy ion testing  Phase Locked Loop (PLL)  Radiation hardening by design  Radiation hardness  Sensitive components  Single event transients  System levels  Transistor level  Transients