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科研机构
大连理工大学 [1]
上海大学 [1]
西安理工大学 [1]
内容类型
学位论文 [3]
发表日期
2013 [3]
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发表日期:2013
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探究芯片内MOS器件性能均匀度的影响因素及改良方法
学位论文
: 上海大学, 2013
作者:
陶佳佳[1]
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提交时间:2019/04/30
电流均匀度
快速热退火
良品率
工艺优化
外倾角及退火对倾斜光纤光栅的影响
学位论文
: 大连理工大学, 2013
作者:
左千
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/13
倾斜光纤光栅
旋转相位掩模
退火工艺
倾斜角度
折射率调制
中心波长漂移
在Si和4H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜
学位论文
: 西安理工大学, 2013
作者:
全汝岱
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提交时间:2019/12/20
光电材料
β-FeSi2薄膜
直流磁控溅射
4H-SiC衬底
退火工艺
Si靶
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