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2012 [4]
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发表日期:2012
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Simulation of doping levels and deep levels in InGaN-based single-junction solar cell
期刊论文
2012
Lin, Shuo
;
Zeng, Shengwei
;
Cai, Xiaomei
;
Zhang, Jiangyong
;
Wu, Shaoxiong
;
Sun, Li
;
Zhang, Baoping
;
张保平
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/04/01
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
DOPED GAN
BAND-GAP
PHOTOVOLTAIC PROPERTIES
INDIUM NITRIDE
INN FILMS
ACTIVATION
DIFFUSION
CHARGE
Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2012, 卷号: 209, 期号: 10, 页码: 2041
Huang, SL
;
Ji, ZW
;
Zhao, MW
;
Zhang, L
;
Guo, HY
;
Liu, BL
;
Xu, XG
;
Guo, QX
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/09/17
VAPOR-PHASE EPITAXY
HOT-WALL EPITAXY
ZINC TELLURIDE
SURFACE-MORPHOLOGY
PHOTOLUMINESCENCE
STRAIN
LAYERS
LUMINESCENCE
ACCEPTOR
DEFECTS
绿光InGaN有源层材料生长与发光研究
学位论文
2012, 2012
王国彪
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2016/02/14
InGaN有源层
绿光
金属有机物气相外延
极化效应
发光。
InGaN active layer
Green emission
Metal organic vapor phase epitaxy
Polarization effect
Luminescence
Structural and optical properties of heteroepitaxial beta Ga_2O_3 films grown on MgO (100) substrates
期刊论文
Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films, 2012, 卷号: 520, 期号: 13, 页码: 4270-4274
作者:
Lingyi Kong
;
Jin Ma
;
Caina Luan
;
Wei Mi
;
Yu Lv
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/23
thin films
domain structure
optical properties
metal-organic vapor phase epitaxy
gallium oxide
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