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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2007     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modeling of gate capacitance for deep sub-micron MOSFETs 期刊论文 CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2007, 卷号: Vol.16 No.3, 页码: 435-438 作者:  Zhu, DZ;  By:Dai, YH;  Chen, JN;  Ke, DM;  Xu, C 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24 quantum mechanical effects  gate capacitance  inversion layer  polysilicon gate