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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfaces in heterostructures of alingan/gan/al2o3 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 作者:  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Yao, SD;  Liu, JP;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitride semiconductors  Interface  Rutherford backscattering/channeling  Transmission electron microscopy  X-ray diffraction   Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 Zhou SQ; Wu MF; Yao SD; Liu JP; Yang H 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  interface  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  SUPER-LATTICES  STRAIN  GAN   Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143 Zhou SQ (Zhou Shengqiang); Wu MF (Wu M. F.); Yao SD (Yao S. D.); Zhang BS (Zhang B. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  superlattice  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  OPTICAL-PROPERTIES  INGAN/GAN  STRAIN  INTERFACE  GROWTH  GAN