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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOI NMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究 期刊论文 半导体学报, 2002 何进; 张兴; 黄如; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 热载流子应力效应  界面陷阱  界面电荷R-G电流  栅控二极管  SOI NMOSFET  SOI-NMOS device  hot-carrier-effect  interfa   开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应 期刊论文 半导体学报, 2002 胡靖; 穆甫臣; 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/11 HCI  HCI  hot-carrier effect  oxide thickness effect  lifetime prediction model  device reliability  热载流子效应  氧化层厚度效应  寿命预测模型  器件可靠性