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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ecr plasma in growth of cubic gan by low pressure mocvd 期刊论文 Plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174 作者:  Gu, B;  Xu, Y;  Qin, FW;  Wang, SS;  Sui, Y 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Ecr plasma  Cubic gan  Low pressure mocvd   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: #REF! 作者:  Sun, YP;  Fu, Y;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/04/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate   ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD 期刊论文 plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174 Gu B; Xu Y; Qin FW; Wang SS; Sui Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/7  |  提交时间：2010/08/12 ECR plasma  cubic GaN  low pressure MOCVD  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS  DIMETHYLHYDRAZINE   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391 Xu SJ; Zheng LX; Cheung SH; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  BINDING-ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  PRESSURE  ELECTRON  GAAS  ALN   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 transmission electron microscopy  X-ray diffraction  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic vapor phase epitaxy  cubic gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CUBIC GAN  PHASE EPITAXY  REDUCTION  GROWTH   ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD 期刊论文 PLASMA CHEMISTRY AND PLASMA PROCESSING, 2002, 卷号: 22, 页码: 159-174 作者:  Gu, B;  Xu, Y;  Qin, FW;  Wang, SS;  Sui, Y 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 ECR plasma  cubic GaN  low pressure MOCVD