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科研机构
上海微系统与信息技术... [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
1994 [4]
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Physics, M... [1]
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发表日期:1994
专题:上海微系统与信息技术研究所
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REACTION-KINETICS CONTROL IN PREPARATION OF CDTE AND HGCDTE BY HOT-WALL METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1994, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 221-224
DING, YQ
;
WEI, GY
;
PENG, RW
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提交时间:2012/03/25
GROWTH
DEPOSITION
MOVPE
UNIFORMITY
MOCVD
ELECTRONIC-STRUCTURE OF THE ION-PAIR MODEL FOR TIAL2O3
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1994, 卷号: 6, 期号: 32, 页码: 6497-6505
ZHA, FX
;
ZHANG, JH
;
XIA, SD
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2012/03/25
LASER CHARACTERISTICS
SPECTROSCOPY
TI-AL2O3
GROWTH
CHARACTERIZATION OF CDTE AND HGCDTE EPILAYERS BY HOT-WALL MOCVD
期刊论文
DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS AND DEVICES, 1994, 期号: 135, 页码: 347-350
PENG,RW
;
DING,YQ
;
WEI,GY
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/25
VAPOR-DEPOSITION GROWTH
GAAS
HG1-XCDXTE
MOVPE
SELECTED-AREA DIAMOND DEPOSITION ON SI SUBSTRATES PRETREATED IN DIFFERENT WAYS
期刊论文
SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 1994, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 159-165
XU,N
;
ZHENG,ZH
;
SUN,Z
;
ZHANG,XF
;
XU,CF
;
WAN,PM
;
XIN,PS
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TUNGSTEN-FILAMENT
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