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单缝衍射杨氏模量测量仪 专利
专利号: CN201188079Y, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-01-28
作者:  汪仕元;  黄建群;  胡再国;  雍志华;  李娟
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单缝衍射杨氏模量测量仪 专利
专利号: CN101285748A, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2008-10-15
作者:  汪仕元;  黄建群;  胡再国;  雍志华;  李娟
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在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利
专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
作者:  谢自力;  张荣;  韩平;  刘成祥;  周圣明
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