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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法 专利 专利号: 200610026935.2, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者:  1方维政2徐琰3孙士文4周梅华5刘从峰6涂步划7杨建荣8何力 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/07/06 热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 1999, 期号: 2 作者:  巫艳;  杨建荣;  方维政;  王善力;  于梅芳 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/05/25 P型长波Hg_1_x_Cd_xTe材料MBE生长技术研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 1996, 期号: 5 作者:  王善力;  杨建荣;  郭世平;  于梅芳;  陈新强 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/06/04