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| 一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法 专利
专利号: 201410546842.7, 申请日期: 2014-10-16, 公开日期: 2017-02-08
作者: 1虞慧娴2孙士文 3杨建荣4周昌鹤 5徐超 6 周梅华 7王云
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| 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
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| 一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法 专利
专利号: 201010198891.8, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1崔晓攀2方维政 3张传杰4徐华莲 5孙世文 6杨建荣
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| 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 专利
专利号: 200810204569.4, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利
专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣
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| 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法 专利
专利号: 201010182276.8, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2 尹文婷 3 王建新 4方维政5 杨建荣 6 陈昱7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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| 耐真空及高压有保护气体的可移动密封装置 专利
专利号: 200810204565.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法 专利
专利号: 200810204564.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 专利
专利号: 200910198961.7, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者: 1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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| 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 专利
专利号: 200810033251.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力
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