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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法 专利 专利号: 201010182276.8, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15 作者:  1 叶振华 2 尹文婷 3 王建新 4方维政5 杨建荣 6 陈昱7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/12/15 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 专利 专利号: 200910198961.7, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15 作者:  1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/12/15 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 专利 专利号: 200810033251.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者:  1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/07/06 II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法 专利 专利号: 200610026935.2, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者:  1方维政2徐琰3孙士文4周梅华5刘从峰6涂步划7杨建荣8何力 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/07/06