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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [2]
2007 [1]
2005 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体物理 [1]
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:78/1
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL
;
Cheng TS
;
Ma ZY
;
Hu G
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Luo WJ
收藏
  |  
浏览/下载:95/0
  |  
提交时间:2010/03/29
AlGaN/GaN
Improved dc and rf performance of algan/gan hemts grown by mocvd on sapphire substrates
期刊论文
Solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 1387-1390
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Chen, TS
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Hemt
Gan
Mocvd
Power device
Improved DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs grown by MOCVD on sapphire substrates
期刊论文
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 1387-1390
Wang XL
;
Wang CM
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Chen TS
;
Jiao G
;
Li JP
;
Zeng YP
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:94/18
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提交时间:2010/03/17
HEMT
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