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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102 Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06 ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ALGAN/GAN  POLARIZATION  PASSIVATION  HFETS  GHZ   The transport mechanism of gate leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 30104 作者:  Deng QW;  Hou QF;  Bi Y 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/09/14 GAN   The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  HETEROJUNCTION FETS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  CONFINEMENT  PERFORMANCE  BARRIERS   Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/21 Comment on "radiative and nonradiative recombination process in inn films grown by metal organic chemical vapor deposition" [appl. phys. lett. 86, 142104 (2005)] 期刊论文 Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 17, 页码: 2 作者:  Liu, B;  Zhang, R;  Xie, ZL;  Xiu, XQ;  Bi, ZX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Comment on 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 17, 页码: art.no.176101 Liu B; Zhang R; Xie ZL; Xiu XQ; Bi ZX; Gu SL; Shi Y; Zheng YD; Hu LJ; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：125/32  |  提交时间：2010/03/17