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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Construction of p-n heterojunctions by modifying MOF-derived alpha-Fe2O3 with partially covered cobalt tungstate for high-performance ethyl acetate detection 期刊论文 SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2021, 卷号: 344, 页码: 130129 作者:  Fan, Yizhuo;   Wang, Wei;   Zhang, Jiafeng;   Lu, Yang;   Liu, Caixia;   Adimi, Samira;   Zhou, Jingran;   Ruan, Shengping;   Chen, Yu 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2022/03/23 Manipulation of magnetization switching and tunnel magnetoresistance via temperature and voltage control 期刊论文 scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 18269 Houfang Liu; Ran Wang; Peng Guo; Zhenchao Wen; Jiafeng Feng; Hongxiang Wei; Xiufeng Han; Yang Ji; Shufeng Zhang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/08 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/31 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/10/29 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31 作者:  马慧莉;  程凯芳 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/08/31 垂直相变存储器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256828.5, 公开日期: 2011-08-31 作者:  程凯芳;  马慧莉 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/08/31 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2014/10/31 纳流体晶体管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237096.2, 公开日期: 2011-08-31 张加勇; 王晓峰; 王晓东; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/08/31 垂直相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113827.5, 公开日期: 2011-08-31 作者:  马慧莉;  程凯芳 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/08/31 纳流体测试器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237086.9, 公开日期: 2011-08-31 张加勇; 王晓峰; 王晓东; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/08/31