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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 Ga2O3 Schottky diode  Argon implantation  Edge termination   High-Voltage β-GaO Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1 作者:  Yangyang Gao;  Ang Li;  Qian Feng;  Zhuangzhuang Hu;  Zhaoqing Feng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/13 β-Ga2O3  Schottky  diode  Argon  implantation  Edge  termination   Field-Plated Lateral beta-GaO Schottky Barrier Diode With High Reverse Blocking Voltage of More Than 3 kV and High DC Power Figure-of-Merit of 500 MW/cm 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.10, 页码: 1564-1567 作者:  Zhuangzhuang Hu;  Hong Zhou;  Qian Feng;  Jincheng Zhang;  Chunfu Zhang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Lateral beta-GaO schottky barrier diode on sapphire substrate with reverse blocking voltage of 1.7 kV 期刊论文 IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2018, 卷号: Vol.6 No.1, 页码: 815-820 作者:  Zhuangzhuang Hu;  Hong Zhou;  Kui Dang;  Yuncong Cai;  Zhaoqing Feng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26