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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An Improved SPICE Model of SiC BJT Incorporating Surface Recombination Effect 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.7, 页码: 6794-6802 作者:  Jun Wang;  Shiwei Liang;  Linfeng Deng;  Xin Yin;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/13 Silicon carbide  Predictive models  Spontaneous emission  Junctions  SPICE  Temperature  Numerical models  Bipolar junction transistor (BJT)  proportional base driver  SPICE model  surface recombination effect  4H-SiC   An Improved SPICE Model of SiC BJT Incorporating Surface Recombination Effect 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2018 作者:  Wang, Jun;  Liang, Shiwei;  Deng, Linfeng;  Yin, Xin;  Shen GAE, John 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Simulation study of a 4H-SiC lateral BJT for monolithic power integration 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2018, 卷号: Vol.39 No.12, 页码: 124004 作者:  Shiwei Liang;  Jun Wang;  Fang Fang and Linfeng Deng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 Experimental comparison of SiC GTO and ETO for pulse power applications 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2018, 卷号: Vol.39 No.12, 页码: 124017 作者:  Cheng Zeng;  Linfeng Deng;  Zongjian Li and Jun Wang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26