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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：河南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-performance indium oxide thin film transistor with ITO source/drain electrodes fabricated by reactive sputtering 会议论文 MATERIAL SCIENCE AND ADVANCED TECHNOLOGIES IN MANUFACTURING, 2014-01-01 作者:  Zhang, Xin'an[1];  Yu, Xiankun[2];  Zhai, Junxia[3];  Jiao, Yang[4];  Ding, Linghong[5] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/23 Reactive sputtering  In2O3 films  Thin film transistor  Mobility   Bottom-gate amorphous In2O3 thin film transistors fabricated by magnetron sputtering 期刊论文 ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, 2013, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 279-282 作者:  Jiao, Yang[1];  Zhang, Xinan[2];  Zhai, Junxia[3];  Yu, Xiankun[4];  Ding, Linghong[5] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23 amorphous In2O3 films  transistor  surface states  mobility   Fabrication and characterization of flexible Ag/ZnO Schottky diodes on polyimide substrates 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2013, 卷号: 548, 页码: 623-626 作者:  Zhang, XinAn[1];  Zhai, JunXia[2];  Yu, XianKun[3];  Ding, LingHong[4];  Zhang, WeiFeng[5] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/23 Schottky diodes  Ideality factor  Barrier height  Series resistance