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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Discovery of TaFeSb-based half-Heuslers with high thermoelectric performance 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10 作者:  Zhu, Hangtian[1];  Mao, Jun[2];  Li, Yuwei[3];  Sun, Jifeng[4];  Wang, Yumei[5] 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/04/22 Hydrothermal formation of N/Ti3+ codoped multiphasic (brookite-anatase-rutile) TiO2 heterojunctions with enhanced visible light driven photocatalytic performance 期刊论文 Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 2017, 卷号: 46, 页码: 15727-15735 作者:  Sun Mingxuan[1];  Kong Yuanyuan[2];  Fang Yalin[3];  Sood Swati[4];  Yao Yuan[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/26 High Mobility Solution-Processed Hafnium Indium Zinc Oxide TFT With an Al-Doped ZrO2 Gate Dielectric 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 页码: 554-556 作者:  Gao, Yana[1];  Li, Xifeng[2];  Chen, Longlong[3];  Shi, Jifeng[4];  Sun, Xiao Wei[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30 Al-doped ZrO2  amorphrous  high mobility  solution  thin film transistor (TFT)   Effect of annealing and gate insulator material changing on the performances of IGZO-TFT 会议论文 APPLIED MECHANICS, MATERIALS AND MANUFACTURING IV, 2014-08-23 作者:  Shi Jifeng[1];  Chen Longlong[2];  Sun Xiang[3] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30 Thin Film Transistor  Indium-gallium-zinc oxide  insulator