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空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n-Si异质结、太阳电池器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01,
作者:  马忠权[1];  高明[2];  陈东运[3];  韩百超[4];  赵磊[5]
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高阻氧化钼半导体薄膜在新型异质结光伏器件中的作用 会议论文
第一届全国功能薄膜与涂层学术研讨会暨国际论坛, 2017-07-23
作者:  韩百超[1];  高明[2];  陈东运[3];  宋文磊[4];  宋晓敏[5]
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/04/25


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