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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文 Chinese Physics B, 2015, 期号: 08, 页码: 534-538 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Yin JY(尹甲运);  Fang YL(房玉龙) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 AlGaN/AlN/GaN  barrier layer thickness  electron mobility  polarization Coulomb field scattering   Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 中国物理B（英文版）, 2014, 期号: 2, 页码: 426-430 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 肖特基二极管  AlGaN  相对介电常数  阻挡层  基金属  应变  异质  AIN   Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 Chinese Physics B, 2014, 期号: 02, 页码: 430-434 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Al(Ga)N/GaN  strain  relative permittivity  Schottky metal   Influence of temperature on strain-induced polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Chinese Physics B, 2014, 期号: 07, 页码: 653-656 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Lin ZJ(林兆军);  Guo HY(郭红雨);  Gu GD(顾国栋) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/17 AlN/GaN  electron mobility  polarization Coulomb field scattering  polarization   Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode 期刊论文 Chinese Physics B, 2013, 期号: 07, 页码: 430-433 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructure  Schottky diode  threshold voltage  series resistance   Annealing experiment on high-T-c superconductor Bi-2212 single crystals 会议论文 International Symposium on Processing and Critical Current of High-Temperature Semiconductors, FEB 02-04, 1998 作者:  Gu, GD;  Han, SH;  Lin, ZW;  Zhao, Y;  Russell, GJ 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31