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科研机构
山东大学 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2016 [1]
2013 [2]
2012 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2001 [2]
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中国血液病患者中性粒细胞缺乏伴发热的多中心、前瞻性流行病学研究
期刊论文
中华血液学杂志, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 177-182
作者:
闫晨华
;
徐婷
;
郑晓云
;
孙洁
;
段显林
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/16
发热
中性粒细胞减少
血液病
Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor
期刊论文
中国物理B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 534-539
作者:
Yu YX(于英霞)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Luan CB(栾崇彪)
;
Wang YT(王玉堂)
;
Chen H(陈弘)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/23
AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
quasi-two-dimensional model
the polarization Coulomb field scattering
the two-dimensional electron gas mobility
Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor
期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 534-539
作者:
Yu YX(于英霞)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Luan CB(栾崇彪)
;
Wang YT(王玉堂)
;
Chen H(陈弘)
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/23
AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
quasi-two-dimensional model
the polarization Coulomb field scattering
the two-dimensional electron gas mobility
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
Chinese Physics B, 2012, 期号: 01, 页码: 414-418
作者:
Cao ZF(曹芝芳)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Luan CB(栾崇彪)
;
Yu YX(于英霞)
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提交时间:2019/12/23
AlGaN/AlN/GaN heterostructures,Schottky barrier diodes,power consumption,series resistance
Eight-alanine duplication in homeobox D13 in a Chinese family with synpolydactyly
期刊论文
GENE, 2012, 卷号: 499, 期号: 1, 页码: 48-51
作者:
Xin, Qian
;
Li, Lin
;
Li, Jiangxia
;
Qiu, Rongfang
;
Guo, Chenhong
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/23
Synpolydactyly
HOXD13
Polyalanine expansion mutation
Influence of Ni Schottky contact thickness on two-dimensional electron-gas sheet carrier concentration of strained Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN heterostructures
期刊论文
半导体学报, 2010, 期号: 08, 页码: 74-77
作者:
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
AlGaN/GaN heterostructure
Schottky contact thicknesses
two dimensional electron gas
tensile stress
Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
Chinese Physics B, 2009, 期号: 09, 页码: 3980-3984
作者:
Zhao JZ(赵建芝)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Timothy D Corrigan
;
Zhang Y(张宇)
;
Lv YJ(吕元杰)
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/26
relative permittivity
AlGaN barrier layer
AlGaN/GaN heterostructures
掺硼酸的KDP晶体生长及光散射性质的研究
期刊论文
山东大学学报(自然科学版), 2001, 期号: 02, 页码: 205-209
作者:
孙洵,许心光,王正平,杜晨林,王圣来,曾红,李毅平,高樟寿
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提交时间:2020/01/14
KDP晶体
掺杂剂
H3BO3
光散射
陈化溶液
掺硼酸的KDP晶体生长及光散射性质的研究
期刊论文
山东大学学报. 自然科学版, 2001, 卷号: 36, 期号: 2
作者:
孙洵
;
许心光
;
王正平
;
杜晨林
;
王圣来
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/14
KDP晶体
掺杂剂
光散射
陈化溶液
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