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| 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 1845308, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2008-03-05, 2008-03-05, 2008-03-05, 2008-03-05
张恩霞; 张正选; 王曦 林成鲁 林梓鑫; 钱聪; 贺威
  收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 成果
鉴定: 无, 2007
张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威
收藏 | 浏览/下载：125/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文) 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 期号: 06
俞文杰; 张正选; 张恩霞; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明; 王茹
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文) 期刊论文
高能物理与核物理, 2007, 期号: 04
贺威; 张正选; 张恩霞; 钱聪; 田浩; 王曦
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| 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1763918, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 期号: 04
钱聪; 张恩霞; 贺威; 张正选; 张峰; 林成鲁; 王英民; 王小荷; 赵桂茹; 恩云飞; 罗宏伟; 师谦
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 06
张恩霞; 钱聪; 张正选; 王曦; 张国强; 李宁; 郑中山; 刘忠立
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 氧氮共注入提高SIMOX材料抗辐射性能研究 会议论文
上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会, 2004
张恩霞; 钱聪; 张正选; 王曦; 张国强; 李宁; 郑中山; 刘忠立
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2012/01/18
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