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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利 专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12 作者:  汤益丹;  刘新宇;  许恒宇;  蒋浩杰;  赵玉印 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/05/27 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 专利 专利号: CN201310570937.8, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2014-02-05 作者:  白云;  刘新宇;  汤益丹;  许恒宇;  蒋浩杰 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/05/27 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 专利 专利号: CN201310567092.7, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-26 作者:  杨谦;  刘新宇;  许恒宇;  汤益丹;  蒋浩杰 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/05/27 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 专利 专利号: CN201310559750.8, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-12 作者:  白云;  刘新宇;  许恒宇;  汤益丹;  蒋浩杰 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/27