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| Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文 作者: Li YY(李洋洋); Li XJ(李晓静) ; Li B(李博) ; Gao LC(高林春) ; Yan WW(闫薇薇)![](/image/person.jpg)
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| Experimental study of single event transient characteristics on PDSOI CMOS inverter chain by pulse laser irradiation 会议论文 作者: Bo Mei ; Qingkui Yu; Hongwei Zhang; Tang Min; Zhao X(赵星)
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| Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method 期刊论文 Applied Physics A, 2018 作者: Wang RH(王瑞恒); Ceng CB(曾传滨) ; Li XJ(李晓静) ; Han ZS(韩郑生) ; Luo JJ(罗家俊)![](/image/person.jpg)
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| DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度 期刊论文 微电子学与计算机, 2018 作者: 李晓静 ; 韩郑生 ; 罗家俊 ; 高林春 ; 曾传滨![](/image/person.jpg)
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| A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017 作者: Ceng CB(曾传滨); Zhao FZ(赵发展); Yan WW(闫薇薇)
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| Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET 期刊论文 Chinese Physics B, 2017 作者: Yan WW(闫薇薇) ; Gao LC(高林春) ; Li XJ(李晓静) ; Zhao FZ(赵发展) ; Ceng CB(曾传滨)![](/image/person.jpg)
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| 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究 期刊论文 微电子学与计算机, 2017 作者: 于猛; 韩郑生 ; 曾传滨 ; 闫薇薇 ; 李博![](/image/person.jpg)
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| 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器 专利 专利号: CN201620835458.3, 申请日期: 2017-01-18, 作者: 于猛; 韩郑生 ; 罗家俊 ; 闫薇薇 ; 曾传滨![](/image/person.jpg)
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| 一种高速信号自隔离装置 专利 专利号: CN201620302318.X, 申请日期: 2016-11-23, 作者: 曾传滨 ; 刘梦新 ; 韩郑生 ; 罗家俊 ; 倪涛![](/image/person.jpg)
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| 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法 专利 专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14 作者: 韩郑生 ; 曾传滨 ; 毕津顺 ; 卜建辉 ; 李书振
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